三星多層片式陶瓷電容

多層片式陶瓷電容.PDF

　　高穩定性，無電容老化

　　可在高達125°C的溫度下運作

　　高可靠性、無極性

　　符合RoHS規范且無鹵素

此類介質材料的電容器為Ⅰ類電容器
包括通用型高頻C0G(NPO)電容器和溫度補償型高頻HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器。
其中C0G(NPO)電容器電性能最穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，
適用于低損耗，穩定性要求高的高頻電路，HG、LG、PH、RH、SH、TH、UJ、SL電容器容量隨溫度變化而相應變化，
適用于低損耗、溫度補償型電路中。